Descriere:

Invenţia se referă la un procedeu de pasivare a suprafeţelor semiconductorilor din compuşi grupele III-V cu compuşi ai sulfului, cu aplicaţie pentru dispozitive tip Schottky, destinate evaluării activităţii microbiene. Metoda conform invenţiei constă în aceea că un semiconductor de tip GaSb sau GaAs este introdus într-o soluţie de tiol alifatic dizolvat în alcool etilic sau într-o soluţie de sulfură de clor dizolvată în tetraclorură de carbon la temperatura camerei, rezultând o suprafaţă de semiconductor cu densitate redusă, de stări de suprafaţă compatibile cu procesări tehnologice ulterioare.