Descriere:

Invenţia se referă la un ansamblu şi la o metodă pentru controlul unui proces de creştere a unor monocristale semiconductoare, în condiţiile solidificării în gradient termic. Ansamblul conform invenţiei este alcătuit dintr-un sistem de încălzire inductiv (1), din nişte senzori de măsurare şi un lanţ de măsurare, înregistrare şi prelucrare a semnalelor. Metoda conform invenţiei, aplicată în cadrul ansamblului, cuprinde măsurarea conductivităţii electrice induse în probă de către un senzor (6), la aceeaşi temperatură conductivitatea electrică a lichidului fiind mai mare decât cea a solidului, iar prin sesizarea momentului topirii complete a şarjei şi sesizarea iniţierii procesului de solidificare, are loc monitorizarea creşterii cristalelor.