Descriere:

Invenţia se referă la un sistem hibrid de depunere de straturi subţiri prin pulverizare catodică cu magnetron combinată cu depunere prin ablaţie laser care poate fi folosit pentru depunerea de materiale metalice, semiconductoare şi izolatoare din ţinte formate dintr-un singur element, ca de ex. Ge, Si, Cu, Te, Sn, etc., din ţinte binare, ca de ex. GeTe, TiN, ZnS, SiO2, etc. sau din ţinte ternare precum Ge2Sb2Te5. Sistemul conform invenţiei cuprinde o incintă (2) de depunere de straturi subţiri în vid înalt, un suport (25) rotitor pentru substraturile pe care se va depune material, dispus central în partea superioară a incintei (2) de depunere, a cărui temperatură poate fi controlată între temperatura camerei şi 750°C, un substrat (26) rigid sau flexibil montat pe suportul (25) rotitor, un pulverizator (7) catodic cu magnetron dispus central în partea inferioară a incintei (2) de depunere, două pulverizatoare (8 şi 9) catodice cu magnetron dispuse la un unghi de 45° faţă de substrat (26), în partea inferioară a incintei (2), un ansamblu (3) optic pentru ghidajul fasciculului laser, ataşat incintei (2) de depunere, un generator (4) de pulsuri laser aflat în exteriorul incintei (2) de depunere, un orificiu de intrare, cu debit controlat, al unui gaz de lucru inert şi o sursă de gaz inert conectată la incinta (2) de depunere, un alt orificiu de intrare, cu debit controlat, al unui gaz reactiv şi o sursă de gaz reactiv conectată de incinta (2) de depunere, o ţintă din material solid montată în pulverizatorul (7) catodic cu magnetron dispus central în incinta (2) de depunere precum şi două ţinte din material solid montate în celelalte două pulverizatoare (8 şi 9).