Descriere:

Invenţia se referă la o structură de memorie feroelectrică cu multiple stări de memorare, precum şi la un procedeu de obţinere a acesteia. Structura, conform invenţiei, este o structură simetrică, cuprinzând un prim strat feroelectric, de exemplu din Pb(Zr, Ti)O, cu o grosime de aproximativ 50 nm, un strat izolator de SrTiO, cu o grosime de aproximativ 30 nm, urmat de un al doilea strat feroelectric din acelaşi material şi având aceeaşi grosime, structura cuprinzând, de asemenea, un electrod inferior şi un electrod superior, realizaţi din SrRuO, straturile menţionate fiind depuse, de exemplu, prin ablaţie laser în fascicul pulsat, structura astfel obţinută prezentând 4 stări de polarizare, care pot fi accesate separat, conducând la 4 stări distincte de memorare, care pot fi citite prin aplicarea unei tensiuni electrice cu o valoare bine definită.