Descriere:

Invenţia se referă la un procedeu de obţinere a unui senzor de umiditate. Procedeul conform invenţiei constă în aceea că pe un substrat izolator electric este depus, prin metoda de pulverizare în plasmă, un strat de maximum 30 nm Nb în atmosferă de Ar, la o presiune de 12 mbar şi o putere de 350 W, rezultând filme subţiri nanostructurate de Nb-NbO cu senzitivitate de cel puţin 7,7% în urma expunerii la medii umede, la tensiuni aplicate de 2 V şi 3 V, corespunzătoare unui curent electric de 0,015 A, respectiv, 0,013 A.