Descriere:

Invenţia se referă la un tranzistor cu filme organice de tip p şi de tip n suprapuse, cu consum de arie înjumătăţit, utilizat în electronică. Tranzistorul conform invenţiei este alcătuit din terminalele porţilor de sus (1) şi de jos (2), un electrod (3) al porţii de sus şi un electrod (4) al porţii de jos, un izolator (5) al porţii de sus şi un izolator (6) al porţii de jos, nişte filme de semiconductori organici de tip p, respectiv, tip n (7, 8), nişte contacte metalice (9, 10) dispuse pe filmul n de sursă, respectiv, de drenă, nişte contacte metalice (11, 12) dispuse pe filmul p de sursă, respectiv, de drenă, un fir metalic de legătură (13) şi o zonă (14) care delimitează filmul n de filmul p, şi poate fi joncţiune metalurgică sau izolator.