Descriere:

Invenţia se referă la straturi subţiri semiconductoare de InYNsub formă de monostraturi depuse pe un substrat rigid sau flexibil, aderente la suportul pe care au fost depuse, care pot fi utilizate pentru realizarea diverselor dispozitive optoelectronice. Straturile subţiri conform invenţieisunt obţinute prin metoda pulverizării magnetron într-o plasmă reactivă ce conţine atomi şi ioni de indiu, ytriu şi azot, materialele din nitruri fiind realizate dintr-un strat subţire de InYN, cu grosimea cuprinsă între 100...3000 nm, unde 0,9 ≤ x ≤ 1,0, iar 0 ≤ y ≤ 0,1, cu condiţia ca 0,9 ≤ x+y ≤ 1,1, materialele astfel obţinute având aderenţă ridicată la substrat, prezentând conducţie de tip n, cu densitatea purtătorilor de sarcină cuprinsă în domeniul 10...10cm, cu mobilitatea Hall a purtătorilor de sarcină în domeniul 0,1...20 cm/Vs şi efect de fotoluminescenţă la temperatura camerei în domeniul de lungimi de undă cuprins între 350...1400 nm.