Descriere:

Invenţia se referă la o instalaţie şi la un procedeu pentru optimizarea procesului de depunere de straturi subţiri, folosind pulverizarea cu un magnetron în regim pulsat şi un câmp magnetic auxiliar. Instalaţia conform invenţiei cuprinde: o cameră de depunere (1) din oţel inoxidabil, de formă cilindrică, prevăzută cu ferestre pentru diagnoza optică şi spectrală, şi cu treceri electrice pentru diagnoza electrică a plasmei, racordată, prin intermediul unei trape (4) de izolaţie, la un sistem pentru producerea presiunilor joase, alcătuit dintr-o pompă (2) turbomoleculară şi dintr-o pompă (3) mecanică uscată, un catod (5) de tip magnetron, cu o ţintă (6) de forma unui disc confecţionat din diferite metale sau compuşi metalici, răcit indirect, şi cu o structură standard de câmp magnetic balansat, un generator (9) de pulsuri de mare putere, cu preionizare, cu tensiune şi frecvenţă variabile, care produce o descărcare electrică între ţintă (6) şi camera de depunere (1), şi apariţia unei plasme de argon confinată magnetic, datorită prezenţei unui magnet (7) permanent, de formă toroidală, montat coaxial cu ţinta (6), la o distanţă variabilă de aceasta, atunci când presiunea gazului de lucru introdus în camera de depunere printr-un controler de gaz (8) este în jur de 1 Pa. Procedeul conform invenţiei constă în folosirea unei descărcări magnetron în impulsuri de mare putere, cu amplitudinea tensiunii de circa 1 kV, durata pulsului cuprinsă între 3 şi 50 μs şi frecvenţa de repetiţie a pulsurilor cuprinsă între 100 Hz şi 11 KHz, produsă în prezenţa argonului, la o presiune de circa 1 Pa şi în prezenţa unui câmp magnetic static auxiliar, de inducţie cuprinsă între 1 kG şi 4,5 kG.