Descriere:

Invenţia se referă la un procedeu de preparare a filmelor subţiri de CuO de tip n, utilizate ca material pentru celule solare, rezistori cu memorie şi senzori de gaz. Procedeul conform invenţiei constă în metoda hidrotermală de depunere a stratului de oxid de cupru de tip n pe o plăcuţă de cupru, ce are două roluri: ca substrat şi material precursor pentru filmul subţire, în mediu de soluţie de hidroxid de potasiu 2,5 M, în autoclave etanşe de teflon, cu cămaşă de oţel, care sunt încălzite la temperatura de 250°C, timp de 30 min, din care rezultă filme subţiri de oxid de cupru, cu caracter semiconductor de tip n.