Descriere:

Invenţia se referă la un dispozitiv pentru asistarea cu ioni a creşterii straturilor subţiri de elemente metalice, semiconductoare şi oxizi, depuse prin evaporare în vid cu tun de electroni electrostatic, pentru care se utilizează ionii ce rezultă din procesul de ionizare a materialului evaporat în urma interacţiei cu fasciculul primar de electroni, utilizat la evaporare, sau/şi ionii rezultaţi prin interacţia fluxului de vapori cu un fascicul laser perpendicular pe direcţia acestuia. Dispozitivul conform invenţiei are în compunere un creuzet (1) în care un material (2) de evaporat este încălzit, prin bombardament electronic, de un fascicul primar extras dintr-un catod (5) de wolfram, şi format prin deflexie electrostatică de un electrod (4) Wehnelt, în care, la impactul cu suprafaţa materialului (2) din creuzet (1), energia electronilor este transferată materialului sub formă de energie termică, obţinându-se astfel o zonă (7) în care, pe suprafaţa expusă fasciculului primar de electroni, materialul este topit şi încălzit astfel încât cantitatea de vapori să fie suficientă pentru depunerea unui strat subţire pe un substrat (6) suport.