Descriere:

Invenţia se referă la un procedeu de obţinere a unei compoziţii adezive conductive, pentru încapsularea dispozitivelor semiconductoare. Procedeul conform invenţiei constă în aceea că se încălzeşte la temperatura de 160°C etilenglicol timp de 30 min, se adaugă o soluţie de 1...5% clorură de cupru, polivinilpirolidonă în etilenglicol, şi azotat de argint în etilenglicol, cu menţinerea încălzirii timp de 1...2 h, amestecul de reacţie se răceşte până la temperatura camerei şi se separă prin centrifugare, rezultând o compoziţie de Ag nanostructurat, care este dispersată prin ultrasonare la temperatura de 60°C, timp de 30...45 min, compoziţia adezivă conductivă pastă fiind sinterizată, fără aplicarea unei presiuni externe, la temperatura de 250...280°C, timp de 1...2 h.