Descriere:

Invenţia se referă la o structură formată din formată din două materiale cu schimbare de fază, care poate fi folosită într-o celulă cu memorie pentru a stoca trei stări logice diferite. Structura conform invenţiei este formată din două straturi suprapuse, realizate din materiale cu schimbare de fază, şi anume: GeTe şi GaSb, structura fiind obţinută prin depunere laser pulsată, între electrozi metalici, într-o incintă vidată, folosindu-se distanţe ţintă-substrat cuprinse între 4 şi 8 cm, pentru obţinerea de straturi subţiri amorfe având grosimi de 500 nm şi, respectiv, 300 nm.