Descriere:

Invenţia se referă la o memorie capacitivă de tip analog, cu multiple stări de memorare pe bază de straturi feroelectrice şi izolatoare, şi la metoda sa de operare. Memoria capacitivă, conform invenţiei, are o structură tip feroelectric-izolator-feroelectric, obţinută prin depunere succesivă, prin metode fizico-chimice, în care, de exemplu, straturile feroelectrice sunt din titano-zirconat de plumb cu o grosime de 100 nm, iar stratul izolator este, de exemplu, din SrTiOcu o grosime de 20 nm, stările diferite de memorare fiind obţinute prin aplicarea unor pulsuri de tensiune cu amplitudini diferite, iar citirea memoriei fiind realizată într-o manieră nedistructivă, prin simpla măsurare a capacităţii structurii.