Descriere:

Invenţia se referă la un circuit logic. Circuitul logic, conform invenţiei, este realizat pe baza unor memorii capacitive, formate din straturi feroelectrice şi izolatoare, de exemplu, feroelectric-izolator-feroelectric, unde stratul feroelectric poate fi realizat din titano-zirconat de plumb, iar izolatorul poate fi, de exemplu, titanat de stronţiu sau titanat de bariu, cu o grosime a stratului feroelectric în jur de 100 nm, şi cu o grosime a stratului izolator în jur de 20 nm, toate straturile fiind depuse, de exemplu, prin ablaţie laser în fascicul pulsat, pe un suport cristalin care poate fi, printre altele, siliciu sau titanat de stronţiu.