Descriere:

Invenţia se referă la un procedeu de obţinere a filmelor subţiri epitaxiale de carbură de titan TiCcu x ≤ 1, crescute pe substraturi monocristaline de MgO(001). Procedeul conform invenţiei constă în pulverizarea simultană a unei ţinte de Ti prin metoda pulverizării în regim magnetron în curent continuu, şi a unei ţinte de C prin metoda pulverizării în regim magnetron în impuls de mare putere, asistată de o descărcare în curent continuu cu rol de preionizare, obţinându-se, la temperaturi de creştere mai mari de 500°C, filme de TiCcu rezistivitate mică, comparabilă cu cea a monocristalelor macroscopice de TiC.