Descriere:

Invenţia se referă la o structură de capacitor MOS cu poartă flotantă, din nanocristale de Ge imersate în HfO, şi la un procedeu de realizare a acesteia, structura fiind utilizată pentru monitorizarea dozelor absorbite în aplicaţii spaţiale, radioterapie, dozimetria personală şi aplicaţii militare. Structura conform invenţiei conţine trei straturi, şi anume: HfOde control/strat cu nanocristale de Ge imersate în HfO/HfOtunel/substrat de Si. Procedeul conform invenţiei constă în depunerea structurii cu trei straturi pe o plachetă de Si, prin pulverizare cu magnetron, urmată de un tratament termic rapid în Ar, pentru formarea nanocristalelor de Ge imersate în HfO, cu rol de poartă flotantă. Structura conform invenţiei are proprietăţi de dozimetru, cu sensibilitate de ordinul 1 mV/Gy la doza de 200 Gy obţinută de la o sursă α de 241 Am.