Descriere:

Invenţia se referă la un procedeu de pasivare a suprafaţei de n-GaSb(100), utilizată ca substrat pentru fabricarea dispozitivelor electronice. Procedeul conform invenţiei constă în tratarea chimică a suprafaţei de n-GaSb curăţată în prealabil în solvent tricloretilenă, cu soluţii de HF şi HCl corozive, după care suprafaţa liberă de oxizi nativi este tratată termic prin oxidare în flux de vapori de apă, la o temperatură de 100°C, timp de 4 h, pe plită termostatată, la o temperatură de 60°C, timp de 3 h, rezultând un strat de complex oxidic GaOşi SbOde 16,4 ± 0,3 nm, şi sub lampa cu incandescenţă de putere 100...150 W, timp de 400...450 h, rezultând un strat de complex oxidic de 8,6 ± 0,1 nm, eventual, suprafaţa de n-GaSb este oxidată anodic într-o soluţie de acid citric, etilen glicol şi apă deionizată, laH de 2,35, tensiunea anodică 1...30 V, un curent <1 mA, timp de 40 s, din care rezultă pe suprafaţa de n-GaSb(100) un strat preponderent de oxid de galiu.