Descriere:

Invenţia se referă la o structură pe bază de nanocristale de GeSi imersate în matrice de TiO, pentru fotodetectori în domeniul vizibil infraroşu apropiat VIS - NIR, şi anume, Al/NC GeSi în TiO/SiO/Si substrat, şi la un procedeu de obţinere a acesteia. Stratul activ este format din nanocristale de GeSi imersate în TiO, iar electrozii sunt dispuşi coplanar pe faţa structurii. Structura pe bază de nanocristale de GeSi imersate în matrice de TiO, conform invenţiei, se obţine folosind oxidarea termică rapidă a Si în atmosferă de Ar 6N, pentru creşterea stratului de SiO, codepunerea prin pulverizare cu magnetron a Ge, Si şi TiOpe stratul de SiO, şi tratament termic pentru nanocristalizare, urmată de evaporare termică în vid a electrozilor de Al, structura având proprietăţi de fotodetector, fiind fotosensibilă în domeniul 600...1220 nm la tensiunea aplicată de 1 V.