Descriere:

Invenţia se referă la un procedeu de încălzire/răcire rapidă aplicat materialelor conductive transparente dopate constând din filme subţiri de In2O3 dopat cu SnO2, depozitate pe substrat de cuarţ, în urma aplicării procedeului obţinându-se filme subţiri de contacte transparente dopate policristaline, cu calităţi structurale şi optoelectronice îmbunătăţite. Procedeul conform invenţiei constă din supunerea filmelor subţiri de In2O3 dopat cu SnO2 unui proces de încălzire (1) rapidă, cu o viteză de încălzire de 30°C/s în atmosferă de oxigen, la o temperatură iniţială de 375°C, fiind menţinute timp de 5 secunde pe acest palier (2) de temperatură, urmat de răcirea (3) la 200°C, cu o viteză de răcire de 15°C/s, şi de o nouă încălzire (4) la 575°C, cu aceeaşi viteză de încălzire de 30°C/s, menţinută pe acest palier (5) de temperatură timp de 10 secunde, şi urmată de o nouă răcire (6), la 20°C, cu o viteză de răcire de 15°C/s.