Descriere:

Invenţia se referă la un procedeu de obţinere a unor heterostructuri cu rol protector împotriva radiaţiilor solare, pentru dispozitivele care asigură conectivitatea microsateliţilor din cadrul aplicaţiilor spaţiale. Procedeul conform invenţiei pentru producerea filmelor şi heterostructurilor de YSZ/AL2O3 a folosit un laser cu excimeri cu ArF cu lungimea de undă de 193 nm şi o frecvenţă de 10 Hz, seturi diferite de straturi subţiri fiind depuse la diferite fluenţe şi temperaturi pentru găsirea unor parametri optimi, substraturile folosite au fost din alumină, temperatura de depunere a fost variată consecutiv în intervalul 400...700°C urmărindu-se o creştere calitativă a materialelor depuse de YSZ şi AL2O3, fluenţa laser a variat în intervalul 1...4 J/cm2 pentru obţinerea unor filme cât mai groase dar fără defecte de suprafaţă, ţintele folosite au fost ţinte ceramice comerciale de puritate 99,9% având dimensiuni de 2,54 cm diametru şi grosimea de 6,5 mm, în timpul depunerii ţintele au fost rotite iar fasciculul laser a fost translatat pe suprafaţa acestora astfel încât distanţa dintre ţintă şi substrat să fie de 5 cm şi presiunea oxigenului din incintă să fie de 5 x 10-2 mbar, încălzirea substraturilor fiind făcută gradat cu 50°C/min iar răcirea s-a realizat tot gradat cu 10°C/min, pentru procedeul de depunere fiind utilizaţi un număr de 3600 de pulsuri laser.