CELULĂ SOLARĂ CU PATRU TERMINALE CU STRUCTURĂ HETEROJONCŢIUNE PE BAZĂ DE OXIZI METALICI NETOXICI

Prețul nu e vizibil în cazul acestui pachet

Interes:

Atribuire

Informații publicare:

Nr.: RO134721

Data: 29.01.2021

Inventator(i):

CHILIBON IRINELA [RO]

VASILIU ILEANA CRISTINA [RO]

SAVASTRU DAN [RO]

ORNULF NORDSETH [NO]

SEAN ERIK FOSS [NO]

MONAKHOV EDUARD [NO]

KUMAR RAJ [NO]

FARA LAURENŢIU [RO]

MITROI MIHAI RĂZVAN [RO]

NINULESCU VALERICA [RO]

FARA SILVIAN [RO]

CRĂCIUNESCU DAN [RO]

Aplicant(i):
INSTITUTUL NAT CERCETARE DEZVOLTARE PENTRU OPTOELECTRONICA INOE 2000 [RO]
UNIV POLITEHNICA DIN BUCURESTI [RO]
Clasificare:
Clasificare internationala (IPC):
C23C4/10; H01L21/225; H01L31/02

Clasificare comuna (CPC):
Informații aplicație:
Nr.: RO20190000435
Data: 19.07.2019
Număr/numere prioritar(e):
RO20190000435 19.07.2019
BOPI:
Descriere:

Invenţia se referă la o celulă solară cu patru terminale cu structură heterojoncţiune pe bază de oxizi metalici netoxici şi la un procedeu de obţinere a acesteia, celula fiind utilizată pentru realizarea celulelor solare avansate şi a panourilor fotovoltaice. Celula solară conform invenţiei este constituită din două subcelule solare: a) o subcelulă frontală (SF) formată din straturile (L2) ca emiţător de tip n şi stratul (L3) tampon, peste care se află stratul (L1) din cuarţ, stratul (L4) absorbant de tip p din Cu2O, stratul (L5) de tip p+ din Cu2O dopat cu N şi stratul (L6) din material transparent optic, şi b) subcelula posterioară (SP) formată din straturile (L9) ca emiţător tip n din c - Si, stratul (L10) ca bază tip p(c - Si) din material absorbant Cu2O şi stratul (L11) din material c - Si tip p+, cele două subcelule fiind despărţite de un strat (L7) de interfaţă de încapsulare şi de un strat (L8) din SiNx, iar stratul (12) este un strat metalic de contact din Al prevăzut cu patru terminale de ieşire (T1...T4) care asigură legăturile exterioare de contact. Procedeul conform invenţiei are următoarele etape: realizarea plachetelor tăiate tip p, 1...3 Ohm cm, 100 mu m, 6 inch; imprimare (KOH) şi texturarea suprafeţei frontale; difuzia emiţătorului de fosfor; eliminarea sticlei de fosfosilicat (PSG); depunerea de SiNx prin depunere în fază de vapori chimici pebază de plasmă (PECV); serigrafie de Ag frontal şi Al posterior; prelucrare cu laser; încălzirea contactelor; sudarea straturilor; realizarea contactelor frontale şi laminarea subcelulei (SF) pe subcelula (FP).