Descriere:

Invenţia se referă la un procedeu de realizare a unor semiconductori textili pe bază de suport textil ţesut peste care se depune o peliculă de acoperire pe bază de alcool polivinilic şi microparticule de Cu şi Al sau Cu şi grafit, semiconductorii având aplicaţii în electrotehnică sau electronică. Procedeul de obţinere a semiconductorilor textili conform invenţiei are următoarele etape:a) obţinerea a două pelicule polimerice: pelicula polimerică B obţinută din 175...80% PVA de concentraţie 2...10%, 10...15% microparticule de Cu cu dimensiunile <45 μm şi 15...5% microparicule de Al şi pelicula polimerică C obţinută din 50...52% soluţie PVA, 7...2% microparticule de grafit, 29...31% etanol şi 14...15% microparticule de grafit şi Cu cu dimensiunile <45 μm, peliculile polimerice fiind obţinute prin amestecarea componentelor celor două compoziţii de pelicule B şi respectiv C, cu un agitator mecanic timp de 5...10 minute,b) depunerea compoziţiei peliculelor B sau C pe suprafaţa textilă A realizată din bumbac 100%, prin raclare sau prin peliculizare, urmat de reticulare controlată, utilizând un sistem de încălzire pe bază de rezistenţe electrice, la o temperatură cuprinsă între 105...120°C timp de 10...15 minute, ulterior pregătirii substratului A prin fierbere - albire şi clătiri succesive, procedeul conducând la obţinerea unor suprafeţe cu proprietăţi conductive de 106...107 Ω, care sunt destinate realizării electrozilor textili utilizaţi în electronică şi electrotehnică.