Descriere:

Invenţia se referă la o metodă de preparare a straturilor subţiri şi cristaline de Ni care poate fi utilizată în domeniul micro - electronicii, mai exact a memoriilor multiferoice a căror funcţionalitate este dată de controlul ordinii magnetice a interfaţei prin intermediul stării feroelectrice a substratului. Metoda conform invenţiei constă în introducerea substratului, care este un oxid feroelectric respectiv titanatul de bariu BaTiO3, într-o incintă vidată şi încălzit timp de 10 minute la o temperatură cuprinsă între 250...300°C, sub o presiune cuprinsă între 1 x 10-8...5 x 10-10 mbar, urmată de răcirea graduală a substratului şi reîncălzirea acestuia până la o temperatură cuprinsă între 250...300°C, concomitent cu depunerea de Ni iniţiată prin evaporarea acestuia dintr-un evaporator cu bombardament electronic sau de o celulă de depunere Knudsen, la o rată de depunere de 0,2 Angstrom/minut, straturile subţiri astfel obţinute având caracter monocristalin şi orientare cristalină bine definită.