ACOPERIRI SUPRACONDUCTOARE DE YBACUOCU CENTRI DE FIXARE ARTIFICIALI CU STRUCTURĂ MIXTĂ, ŞI PROCEDEU DE OBŢINERE

Prețul nu e vizibil în cazul acestui pachet

Interes:

Atribuire

Informații publicare:

Nr.: RO134071

Data: 30.04.2020

Inventator(i):

IVAN ION [RO]

ALDICA GHEORGHE VIRGIL [RO]

ENCULESCU MONICA [RO]

MIU LUCICĂ [RO]

IONESCU ALINA-MARINELA [RO]

CRISAN IOAN ADRIAN [RO]

Aplicant(i):
INSTITUTUL NAT DE CERCETARE DEZVOLTARE PENTRU FIZICA MATERIALELOR INCDFM [RO]
Clasificare:
Clasificare internationala (IPC):
B82Y30/00; H01L39/24

Clasificare comuna (CPC):
Informații aplicație:
Nr.: RO20190000745
Data: 15.11.2019
Număr/numere prioritar(e):
RO20190000745 15.11.2019
Brevete asociate:
RO134071
BOPI:
Descriere:

Invenţia se referă la straturi de acoperire nanocompozite de YBaCuOcu centri de fixare artificiali, cu structură mixtă, şi la un procedeu de obţinere a acestora, aplicaţiile acestor straturi incluzând benzi supraconductoare nanocompozite, care pot fi utilizate în instrumentele de imagistică prin rezonanţă magnetică, şi cabluri electrice cu pierderi reduse, pentru reţelele electrice inteligente. Straturile nanocompozite, conform invenţiei, sunt formate dintr-o matrice de YBaCuOîn care se găsesc faze nesupraconductoare nanometrice cu morfologie mixtă, rectangulară şi sferică, ce conţin cel puţin unul dintre următorii compuşi: CuYGeO, BaYO, CuYO, BaCuO, BaGeO. Procedeul conform invenţiei constă în ablaţia laser a unei ţinte formate dintr-un disc de YBCO pe care s-a lipit un sector din CuGeOavând aria de 2% din aria ţintei de YBCO, sau mai poate fi un material de YBaCuOdopat cu CuGeOîn concentraţie variabilă, depunerea fiind făcută pe un substrat monocristalin de SrTiO, sau pe un monocristal de LaAlOsau AlOsau MgO, sau un material, metal sau ceramică, acoperit cu un strat intermediar de MgO, SrTiO, AlO, LaAlO, CeO; depunerea a avut loc la o temperatură T = 800°C în atmosferă de oxigen cu presiunea de 0,26 mbari, urmată de răcire la o temperatură de 30°K în atmosferă de oxigen de 660 mbari, cu menţinerea timp de 1 h la un palier de temperatură T = 550°K.