Descriere:

Invenţia se referă la un procedeu şi la o instalaţie pentru obţinerea monocristalelor destinate, în special, realizării laserelor şi a semiconductoarelor. Procedeul conform invenţiei constă în aducerea unei substanţe minerale în stare de vapori, prin încălzire lentă într-un cuptor electric, până la temperatura de vaporizare, urmată de ridicarea vaporilor într-o incintă vidată şi depunerea vaporilor pe grăunţii de cristalizare, în mod ordonat, în linii şi plane bine determinate, existând posibilitatea aplicării unui curent electric, caz în care se poate realiza o cristalizare într-un alt sistem decât cel pe care îl are grăuntele de bază. Instalaţia conform invenţiei este constituită dintr-o cuvă de cuarţ (1) în care se introduce substanţa (2) de cristalizat, cuva (1) fiind amplasată într-un cuptor electric (3), aflat în legătură, prin intermediul unor canale (4), cu o instalaţie criogenică (5), incinta (a), în care se ridică vaporii şi în care sunt montaţi grăunţii (9) de cristalizare, fiind vidată prin intermediul unei pompe de vid (6), iar pentru ca vaporii să nu se depună pe pereţii incintei (a), aceştia sunt confinaţi magnetic cu ajutorul unei bobine (7) fixată pe o carcasă (8).