Descriere:

Invenţia se referă la un procedeu de realizare a senzorului de câmp magnetic bazat pe emisia în câmp, stabilizată cu ajutorul unui dispozitiv activ MOSFET (sursă de curent constant în regim de saturaţie), pentru care, în scopul stabilizării curentului de emisie, a creşterii curentului de emisie şi, implicit, în scopul creşterii sensibilităţii dispozitivului, se structurează emitorii în drena MOSFET-ului. Procedeul conform invenţiei constă în realizarea emitorilor prin corodare cu ioni reactivi (RIE) în doi paşi, mai întâi o corodare într-un amestec de CFşi O, la puteri RF mai mari, şi apoi o corodare într-un amestec de SFşi O, la puteri RF mici, se realizează joncţiuni p/n prin implantare ionică cu ioni de fosfor în emitorii verticali în drenă şi în sursă, atât pentru controlul şi stabilizarea curentului de emisie, cât şi pentru a obţine o multiplicare a curentului de emisie prin efectul de conductivitate indusă de bombardamentul cu electroni. Oxidarea termică şi ascuţirea emitorilor se realizează în paşi tehnologici diferiţi, pentru a putea controla atât grosimea oxidului, deci înălţimea emitorilor, cât şi raza de curbură a emitorilor.