Descriere:

Prezenta invenţie constă în separarea izotopică a elementelor dopante, prin schimbarea raportului izotopilor stabili, pentru semiconductori, şi aplicarea ei în domeniul obţinerii semiconductorilor şia joncţiunilor semiconductoare conţinând noul semiconductor. Invenţia constă, în principal, dintr-un procedeu de tratare a unui element semiconductor, prezentând o structură cristalină cubică, rombică sau hexagonală, care conţine cel puţin doi izotopi stabili, în vederea unei modificări a concentraţiilor izotopilor, caracterizată prin aceea că: - supune elementul semiconductor la o temperaturăapropiată de temperatura de difuzie; - aplică elementului semiconductor simultan un curent electric de 1 A şi de ordinul 4...30 KV, care este proporţional cu energia de ionizare exprimată în K cal/g mol; - depune elementul semiconductor în timpul acestor tratamente într-un mediu gazos conţinând cel puţin un gaz inert şi un gaz care să asigure evitarea oxidării elementului şi - menţine acest tratament un timp de circa 2 h. În plus, invenţia conform brevetului asigură obţinerea elementului Sb care prezintă un raport izotopic Sb 121 (P1, P2)/Sb 123 (P3) = 1,70.