Descriere:

Invenţia se referă la un senzor pentru detecţia hidrogenului. Senzorul conform invenţiei este prevăzut cu un strat semiconductor rezistiv, ce adsoarbe hidrogenul, format din placheta de alumină (1) care are pe partea superioară, depusă serigrafic, o grilă de electrozi interdigitală (2) din pastă de aur, cu pasul de 1,5 mm, cu grosime traseu de 0,5 mm şi grosime strat de 35...45 mium, tratat termic la 900°C, timp de 1 h, un strat sensibil (3) sub formă de pastă, constituit din oxizi semiconductori SnO2 88%, TiO2 10% dopat cu Sb2O3 1% şi PdCl2 1% în grosime de 50 mium, tratat termic la 550°C, timp de 1h, iar pe partea inferioară plachetei (1) este depus, serigrafic, încălzitorul (4) sub formă de pastă rezistivă, care are rezistivitatea de 10 ohm/pătrat, tratat termic la 850°C, timpde 1 h, iar pe ambele părţi ale plachetei (1) sunt depuse, serigrafic, trasee conductoare (5) din pastă de Ag, cu lăţimea traseelor de 0,5 mm şi grosime de strat de 35...45 mium, tratat termic la 800°C, timp de 1 h, şi conexiunile (6) din pastă de Pd-Ag, tratată termic la 750°C, timp de 30 min, prin care se alimentează încălzitorul. ŕ