Descriere:

Invenţia se referă la un fotodetector de bandă largă pe bază de nanoparticule de Ge înglobate în nitrura de siliciu Si3N4 şi la un procedeu de realizare a acestuia, fotodetectorul fiind utilizat ca strat fotosensibil, pornind de la vizibil până în infraroşu apropiat (Vis - NIR), în sistemele de comunicaţii cu fibră optică, în siguranţă şi securitate, în controlul proceselor tehnologice, în astronomie, în industria militară sau ca senzor de mediu. Fotodetectorul conform invenţiei este constituit dintr-un suport (1) de Si pe care s-a depus un strat (2) fotosensibil pe bază de nanoparticule de Ge înglobate în nitrură de siliciu şi un contact (3) transparent de ITO, iar pe partea opusă a stratului (1) s-a depus electrodul (4) de Al, fotodetectorul având următoarea configuraţie Al/n-Si/NP Ge în Si3N4/ITO. Procedeul conform invenţiei constă în spălarea suporţilor (1) de Si, în camera albă, prin ultrasonare la temperatura camerei timp de 20 minute în acetonă, urmată de spălare în propanol alte 20 minute, uscarea suporţilor (1) în flux de N2, aşezarea suporţilor (1) pe suportul echipamentului MS şi introducerea acestora în camera de încărcare/transfer, iar când vidul atinge cel puţin valoarea de 10-6 Torr suporţii (1) sunt supuşi unui proces de desorbţie a apei de la suprafaţa siliciului timp de 2 minute la temperatura de 200°C, iar după răcirea lentă sub 70°C, suporţii (1) sunt transferaţi în incinta pentru depuneri sub vid înalt 1 x 10-7 Torr, ţintele de Ge şi respectiv de Si3N4 sunt curăţate prin bombardament cu ioni de Ar (6N) minim 40 minute şi depunerea simultană începe după atingerea temperaturii de 500°C, uniformitatea ridicată a filmelor depuse fiind asigurată prin diametrul ţintelor de 3 inch, configuraţia confocală a magnetroanelor şi prin rotirea cu 5 rot/min. a suportului de probe în timpul depunerii.