Descriere:

Invenţia se referă la un dispozitiv de tip microswitch, cu contact ohmic şi acţionare electrostatică, şi la un procedeu de realizare a acestuia. Dispozitivul de tip microswitch, conform invenţiei, este acţionat electrostatic şi cuprinde două terminale: un electrod fix, amplasat pe un substrat şi un electrod mobil, amplasat pe o structură mobilă, deformabilă, de tip microconsolă, între care se aplică o diferenţă de potenţial electric, care determină apariţia unei forţe de atracţie electrostatică între cei doi electrozi, în urma căreia, structura mobilă se deformează şi o parte metalizată a acesteia intră în contact cu două paduri, care sunt conectate la nişte trasee între care trebuie realizat contactul electric. Procedeul conform invenţiei constă din utilizarea unei plachete de siliciu cu orientarea cristalografică <111>, pe care, prin oxidare termică, se obţine un strat de SiO, după care se depune un strat de fotorezist AZ5214, care apoi este developat, după care urmează depunerea unor straturi metalice de Cr şi Au, în această ordine, urmate de corodarea metalelor printr-un procedeu numit în tehnica de specialitate "lift-off", obţinându-se electrodul fix, după care se depune un strat de sacrificiu de polimer LOR, care apoi se developează, iar în etapa următoare, se realizează fotolitografia în stratul de fotorezist AZ5214, pentru depunerea unor noi straturi metalice de Cr şi Au,aceste straturi fiind în continuare corodate, obţinându-se contactul mobil, după care se depune un strat de fotorezist SU-8, urmat de fotogravură şi de depunerea unui nou strat de fotorezist AZ5214, urmat de fotogravură şi de o etapă de depunere a