Descriere:

Invenţia se referă la un procedeu de realizare a magnetotranzistorului bipolar, lateral, cu modelarea injecţiei emitorului, în prezenţa câmpului magnetic. Magnetotranzistorul bipolar, conform invenţiei, se compune dintr-o pereche de tranzistoare npn verticale, identice, orientate antisimetric, ale căror baze sunt realizate din câte două difuzii de adâncimi diferite. Fiecare dintre cele două tranzistoare este compus, practic, din câte două structuri conectate în paralel. Tranzistoarele, fiind identice, se comportă la fel, diferenţa de curent de colector fiind, teoretic, nulă. La apariţia unui câmp magnetic-B-paralel cu suprafaţa şi perpendicular pe axa longitudinală a structurii are loc o interacţiune dintre acesta şi câmpul electric -E- din structură, generat de polarizarea colector - emitor VCE =V+. Rezultatul acestei interacţiuni-efect Hall- este un câmp electric, perpendicular pe planul celorlalte două, paralel cu axa longitudinală a structurii. Baza, fiind polarizată prin generator de curent, are un potenţial flotant, dictat de potenţialul fix al emitorului şi de tensiunea de deschidere a joncţiunii emitor - bază. Deoarece contactul pe bază este prevăzut numai în centrul structurii, datorită efectului rezistiv al stratului, pe de o parte, şi al câmpului Hall, pe de altă parte, se produce un gradient de potenţial în bază, în lungul dispozitivului. Câmpul Hall afectează diferit cele două jumătăţi ale structurii, în sensul că, pentru o jumătate, favorizează deschiderea suplimentară a joncţiunii emitor - bază, în timp ce pentru cealaltă jumătate, favorizează blocarea ei.