Descriere:

Invenţia se referă la un procedeu de depunere a unui multistrat uniform de filme subţiri de Ag/SiO2 cu proprietăţi dielectrice/plasmonice care să fie integrate într-o structură de metamaterial. Procedeul conform invenţiei utilizează tehnica de depunere cu pulverizare magnetron în radiofrecvenţă în vid iniţial de 2 x 10-6 Torr, combinând filme subţiri de Ag cu grosimea de 5 nm şi filme subţiri de SiO2 cu grosimea de 300 nm, folosind monitorul de cuartz, parametrii optimi de depunere fiind următorii: pentru filmul de SiO2 puterea aplicată este de 70 W, rata de depunere de 1,6 Angstromi/s, cu o presiune a oxigenului de 5 mTorr, iar pentru filmul de Ag puterea aplicată este de 20 W, rata de depunere este de 1 Angstromi/s şi presiunea de argon de 5 Torr, în final formându-se multistratul de Ag/SiO2.