Descriere:

Invenţia se referă la o structură pentru lipirea microsistemelor şi circuitelor integrate, care permite lipirea selectivă, cu mare aderenţă, numai a anumitor porţiuni de substrat. Structura conform invenţiei este constituită dintr-un substrat (1) semiconductor, pe care este depus şi sinterizat în atmosferă controlată un strat (2) metalic, cu o grosime de 10 nm...10 microm, între acestea formându-se un eutectic (3), stratul (2) metalic, cât şi eutecticul (3) putând fi corodate sau nu, după necesităţi, şi un strat (4) de adeziv, având o grosime de 0,5 microm...10 microm, strat (4) aplicat numai în zonele în care se face lipirea, această aplicare putând fi făcută direct pe substratul (1) semiconductor, pe eutectic (3) sau pe stratul (2) metalic, în funcţie de necesităţi.