PROCEDEU DE REALIZARE A UNUI BIOCIP CU FUNCŢIA DE AMPLIFICARE A UNOR FRAGMENTE SPECIFICE DE ADN PRIN REACŢIA POLIMERAZICĂ ÎN LAN

Prețul nu e vizibil în cazul acestui pachet

Interes:

Atribuire

Informații publicare:

Nr.: RO122612

Data: 30.09.2009

Inventator(i):

SIMION MONICA LILIANA [RO]

KLEPS IRINA [RO]

ANGELESCU ANCA [RO]

IGNAT TEODORA MAGDALENA [RO]

MIU MIHAIELA SILVIA [RO]

BRAGARU FLORENTINA ADINA [RO]

CR ECIUNOIU FLOREA [RO]

CONDAC EDUARD [RO]

Aplicant(i):
INSTITUTUL NATIONAL ICCF [RO]
Clasificare:
Clasificare internationala (IPC):
B01L3/00; C12Q1/68; G01N21/03

Clasificare comuna (CPC):
Informații aplicație:
Nr.: RO20050000737
Data: 29.08.2005
Număr/numere prioritar(e):
RO20050000737 29.08.2005
Descriere:

Invenţia se referă la un procedeu de realizare a unui biocip pe substrat de siliciu, destinat a înlocui maşina clasică de amplificare a unor fragmente specifice de ADN prin reacţia polimerazică în lanţ, cât şi sistemul de electroforeză capilară de analiză a unui material genetic. Procedeul conform invenţiei constă, într-o primă etapă, în definirea unor microrezervoare, acest lucru făcându-se prin oxidarea unei plachete de siliciu la o temperatură de 1150°C, timp de 360 min, pentru obţinerea unui strat de SIO2, etalarea unui fotorezist pozitiv pe spatele plachetei de siliciu, aplicarea unui tratament termic la o temperatură de 90°C, expunerea şi developarea fotorezistului, şi deschiderea unor ferestre în stratul de SIO2, urmată de corodarea stratului de SIO2 într-o soluţie de KOH, la o temperatură de 85°C, în timpul corodării realizându-se şi dezoxidarea spatelui plachetei, într-o a doua etapă, în realizarea unei rezistenţe de încălzire şi a unui senzor de temperatură, prin etalarea unui fotorezist pozitiv pe faţa plachetei de siliciu, expunerea şi developarea fotorezistului, urmată de spălare în soluţie de HF de concentraţie 5%, timp de 1 min, şi clătire în apă deionizată, timp de 10 min, pe structura astfel pregătită depunându-se, prin procedeul pulverizării catodice în vid, două straturi succesive de Ti şi Pt; după depunerea straturilor, plachetele de siliciu sunt spălate printr-un proces de agitare prin ultrasonare, în acetonă, iar într-o a treia etapă, se definesc nişte paduri de contactare şi se acoperă structura astfel obţinută cu un capac transparent din sticlă.