Descriere:

Invenţia se referă la un procedeu de pregătire a unei plachete monocristal, constituită din depuneri de metale cum ar fi Au-Ge/GaAs/Au/Ti/GaAs, precum şi de realizare a contactelor rectificatoare, în vederea definirii unei structuri sensibile, pentru nişte detectori de radiaţie electromagnetică de energie relativ mică. Procedeul conform invenţiei cuprinde o degresare cu solvenţi, o corodare chimică, cu un amestec de acizi şi corodare în plasmă de argon, în vederea îndepărtării stratului de oxid nativ remanent pe plachetă, după care au loc depunerile de metale de tipul Au-Ge/GaAs şi Au/Ti/GaAs, în condiţii de vid ultraînalt, cu o valoare de 10-8 torr, realizarea barierei metal-semiconductor având loc prin aliere, la temperaturi de tratament termic rapid în intervalul T = 320...360°C, pentru sistemul Au/Ti/GaAs, şi în intervalul T = 430...450°C, pentru sistemul Au-Ge/GaAs, timp de 1 min, în condiţii de vid preliminar de 1,5 x 10-1 torr.