Descriere:

Invenţia se referă la un procedeu de obţinere a unui film de GeSi - HfO2 nanostructurat format din nanocristale din aliajul GeSi imersate în matrice nanostructurată din nanocristale de HfO2, film care este depus pe substrat de Si oxidat şi care are un înalt potenţial aplicativ în optoelectronică la realizarea de senzori optici fotosensibili în domeniul fereastră de lungimi de undă cuprins între 1200...1600 nm din domeniul infraroşu. Procedeul de obţinere conform invenţiei constă în codepunerea prin pulverizare cu magnetron a Ge, Si şi HfO2 pe un substrat de Si acoperit cu un strat de SiO2 obţinut prin oxidarea termică rapidă a Si în atmosferă de Ar 6N, nanostructurarea filmului, adică formarea de nanocristale de GeSi imersate în matrice de HfO2 nanostructurat, fiind realizată prin tratament termic rapid, electrozii de Al dispuşi pe faţa filmului sunt depuşi prin evaporare termică, filmul devenind fotosensibil în domeniul fereastră de lungimi de undă cuprins între 1200...1600 nm din infraroşu, la temperatura de 100K, pentru o tensiune aplicată de 0,7 V.