PROCES ELECTROCHIMIC DE OBŢINERE FILME SUBŢIRI CIS PENTRU APLICAŢII FOTOVOLTAICE

Price not visible for this package

Interest:

Assignment

Publication info:

No.: RO127532

Date: 29.06.2012

Inventor(s):

SOARE VASILE [RO]

BURADA MARIAN [RO]

MITRICĂ DUMITRU [RO]

CONSTANTIN IONUŢ [RO]

ANTOHE ŞTEFAN [RO]

ION LUCIAN [RO]

LUNGU PETRICĂ CRISTIAN [RO]

POROSNICU CONSTANTIN CORNELIU [RO]

GHENESCU MARIAN [RO]

GHENESCU VETA [RO]

Applicant(s):
INST NAŢIONAL DE CERCETARE DEZVOLTARE PENTRU METALE NEFEROASE ŞI RARE INCDMNR IMNR [RO]
INST NAŢIONAL DE CERCETARE DEZVOLTARE PENTRU FIZICA LASERILOR [RO]
UNIV DIN BUCURESTI [RO]
INST DE STIINTE SPATIALE [RO]
Classification:
International patent classification (IPC):
C25D5/00; H01L31/00

Cooperative patent classification (CPC):
Application info:
No.: RO20100001036
Date: 29.10.2010
Priority number(s):
RO20100001036 29.10.2010
Related patents:
RO127532
BOPI:
Description:

Invenţia se referă la un procedeu de obţinere a unor filme subţiri din aliaje de cupru, indiu, seleniu, pentru aplicaţii fotovoltaice. Procedeul conform invenţiei se desfăşoară în regim galvanostatic, într-o singură etapă, şi constă în codepunerea electrochimică într-un electrolit format din soluţii de sulfat de cupru, sulfat de indiu şi oxid de seleniu, utilizând drept agent de complexare acidul gluconic şi agenţi de corectare aiH-ului, soluţii de hidroxid de sodiu şi acid sulfuric, un catod din folie de kapton placată cu nichel, un anod realizat dintr-o placă de platină, şi un electrod de referinţă, de calomel saturat, iar temperatura de lucru este de 25...40°C, tensiunea aplicată de 0,7...1 V, intensitatea curentului de 5...20 mA, timpul de depunere de 30...60 min, distanţa anod-catod de 10...20 mm şi raportul suprafeţelor anod/catod de 1,5...2/1.