ELECTROD TRANSPARENT DIN ZNO PENTRU CELULE SOLARE ŞI METODĂ DE DEPUNERE BAZATĂ PE ARC TERMOIONIC ÎN VID

Price not visible for this package

Interest:

Assignment

Publication info:

No.: RO128030

Date: 28.12.2012

Inventor(s):

INVENTATORI NEDECLARAŢI [RO]

Applicant(s):
INST NAT CERCETARE DEZVOLTARE [RO]
INCDMNR IMNR [RO]
INST DE STIINTE SPATIALE [RO]
UNIV DIN BUCURESTI [RO]
Classification:
International patent classification (IPC):
C23C14/08; H01L21/44

Cooperative patent classification (CPC):
Y02E10/50 (EP)
Application info:
No.: RO20100000994
Date: 20.10.2010
Priority number(s):
RO20100000994 20.10.2010
Related patents:
RO128030
BOPI:
Description:

Invenţia se referă la un electrod transparent din ZnO şi la o metodă de depunere, cu acest electrod, a unor filme subţiri din ZnO pe suport flexibil, utilizând tehnica de depunere fizică din vapori pe bază de arc termoionic în vid, metoda fiind folosită pentru producerea celulelor fotovoltaice pe bază de compozite. Electrodul conform invenţiei are o rezistenţă de 4...3,5 k Ω.m pentru grosimi ale filmului de 450...500 nm şi, respectiv, 2...2,2 k Ω.m pentru grosimi ale filmului de 950...1000 nm. Metoda conform invenţiei constă în depunerea unor filme de ZnO utilizând un evaporator cu arc termoionic în vid, depunere care se efectuează folosind drept anod o nacelă (5) din TiB, susţinută de o bară (6) de wolfram, în care se introduce pulberea de ZnO, nacela (5) fiind protejată de un cilindru (7) din inox refractar, cu rol de focalizare a electronilor generaţi de catodul încălzit, filmele de ZnO în concentraţii atomice de 30...35% oxigen relativ la zinc au grosimi de 450...500 nm şi se depun pe substraturi aflate la distanţă de 250...300 mm deasupra nacelei (5), având o viteză de creştere a filmului de 0,05...0,1 nm/s, iar filmele de ZnO în concentraţii atomice de 45...50% oxigen relativ la zinc au grosimi de 950...1000 nm, se introduce oxigen cu o viteză de curgere de 0,2...1 ml/s, în aşa fel încât presiunea totală în camera de depunere să fie în domeniul 2...5 x 10Pa, substraturile situându-se la o distanţă de 250...300 mm deasupra nacelei (5), viteza de creştere a filmului fiind de 1,5...2 nm/s.