Description:

Invenţia se referă la o structură de capacitor pentru memorie nevolatilă pe bază de nanocristale de Ge imersate în SiO, şi la un procedeu de obţinere a acesteia, structura fiind utilizată în industria microelectronică. Structura conform invenţiei are depusă, pe o plachetă (1) suport de Si (100) de tip p, cu rezistivitatea cuprinsă în intervalul 5...15 Ω x cm, a unui număr de trei straturi: un strat (2) de SiOtunel cu dimensiunea cuprinsă în intervalul 3...6 nm, un strat (3) de nanocristale de Ge în SiOcu dimensiunea cuprinsă în intervalul 7...8 nm şi un ultim strat de SiOcontrol, având dimensiunea cuprinsă în intervalul 20...25 nm. Procedeul conform invenţiei are următoarele etape: curăţarea plachetei (1) de Si suport cu soluţie Piranha la 65°C, ultrasonare în apă deionizată timp de 45 min, apoi scufundare în soluţie diluată de HF timp de 15...60 s, şi uscare în flux de N; stratul (2) de SiOtunel este crescut termic la o temperatură cuprinsă în intervalul 950...1000°C, prin oxidare termică rapidă, într-o atmosferă de amestec de Ar şi O; depunerea stratului (3) intermediar de Ge şi a stratului (4) de SiOcontrol se realizează în atmosferă de Ar, la o presiune de lucru de 4 mTorr, utilizând pulverizarea cu magnetron, urmată de un tratament termic în Ar, la o temperatură de 1000°C, pentru formarea stratului intermediar cu nanocristale de Ge cu densitate de ordinul 10cmimersate în SiO.