Description:

Invenţia se referă la o matrice capacitivă pentru memorie nevolatilă şi la un procedeu pentru obţinerea acesteia. Matricea conform invenţiei este formată din celule de capacitor metal-oxid-semiconductor (MOS) cu trei straturi active şi anume un strat HfOde control/strat intermediar din nanocristale de Ge în HfO/HfOtunel/substrat de Si, celulele MOS fiind legate în paralel. Stratul intermediar de nanocristale de Ge în HfOare rol de poartă flotantă, iar încărcarea nanocristalelor de Ge cu purtători de sarcină realizându-se prin tunelarea acestora din substratul de Si. Procedeul conform invenţiei constă în depunerea structurii cu trei straturi pe substrat de Si prin pulverizare cu magnetron într-o singură etapă în atmosferă de Ar, la o presiune de lucru de 4 mTorr, urmată de tratament termic rapid al structurii care apoi se configurează în celule individuale conectate în paralel, matricea rezultată având o fereastră de memorie de 4...5 V determinată de caracteristica capacitate-tensiune, şi un timp de retenţie probat prin scăderea capacităţii matricei cu maximum 10% după primele 8000 s.