Description:

Invenţia se referă la un procedeu de obţinere a unei structuri de memorie nevolatilă feroelectrică de tip capacitor, pe bază de ZrHfO2 nanostructurat, feroelectric. Structura conform invenţiei se depune prin pulverizare cu magnetron, în atmosferă de Ar de puritate 6N, pe un substrat de (100)Si de tip p având rezistivitate 7...14 Ω cm. Stratul de ZrHfO2, cu rol de poartă flotantă, se obţine prin co-pulverizarea de Zr şi HfO2 din ţinte separate. Structura proaspăt depusă este amorfă, ca urmare aceasta se nanostructurează prin tratament termic rapid, în urma căruia ZrHfO2 devine nanocristalin cu proprietăţi feroelectrice. Pe structura tratată se depun electrozi de Al prin evaporare termică, în geometrie de tip sandvici, şi anume pe suprafaţa liberă a structurii şi pe spatele plachetei de siliciu. Structura de memorie nevolatilă feroelectrică HfO2/ZrHfO2/HfO2/substrat de p-Si, astfel obţinută, prezintă o fereastră de memorie de 2,8...3,2 V în caracteristica polarizare-tensiune şi un câmp coercitiv de 0,5...0,8 MV/cm pentru o tensiune maximă aplicată de 6...8 V.