Description:

Invenţia se referă la o structură fotosensibilă, pe bază de cristale de germaniu imersate în dioxid de siliciu, şi la procedeul de realizare a acesteia. Structura fotosensibilă, conform invenţiei, este alcătuită dintr-o plachetă de Si (1), dintr-un strat (2) activ, format din nanocristale de Ge înglobate într-o matrice de SiO, dintr-un contact transparent de ITO (3) şi dintr-un contact metalic de Al (4) depus pe spatele structurii astfel formate. Procedeul de realizare a structurii fotosensibile, conform invenţiei, constă dintr-o etapă de codepunere a Ge şi SiO, într-o singură etapă, folosind metoda pulverizării cu magnetron pe un substrat de siliciu încălzit la 300...500°C, în flux de Ar, la presiune de lucru de 4 mTorr. Ge se depune la o putere de 20...30 W, în regim de curent continuu, şi SIOla 104...262 W, în radiofrecvenţă. Stratul activ fotosensibil rezultat constă din nanocristale de Ge înglobate în SIO. Contactele electrice pe faţa şi de pe spatele structurii sunt din ITO şi din Al, depuse prin pulverizare cu magnetron şi, respectiv, prin evaporare în fascicul de electroni.