PROCEDEU DE REALIZARE A SENZORULUI DE PRESIUNE BAZAT PE EMISIE ÎN CÂMP

Price not visible for this package

Interest:

Assignment

Publication info:

No.: RO133852

Date: 30.01.2020

Inventor(s):

AVRAM MARIUS ANDREI [RO]

AVRAM MARIOARA [RO]

ŢÎNCU BIANCA CĂTĂLINA [RO]

VOIŢINCU CORNELIU [RO]

ŢUCUREANU VASILICA [RO]

MATEI ALINA [RO]

BURINARU TIBERIU ALECU [RO]

MĂRCULESCU CĂTĂLIN VALENTIN [RO]

Applicant(s):
INSTITUTUL NAT DE CERCETARE DEZVOLTARE PENTRU MICROTEHNOLOGIE IMT BUCURESTI [RO]
Classification:
International patent classification (IPC):
C23C16/26; C30B29/06; G01L9/00

Cooperative patent classification (CPC):
Application info:
No.: RO20180000494
Date: 02.07.2018
Priority number(s):
RO20180000494 02.07.2018
BOPI:
Description:

Invenţia se referă la un procedeu de realizare a unui senzor de presiune pe principiul unei microtriode cu emisie în câmp, al cărui curent de emisie este stabilizat prin intermediul unui tranzistor cu efect de câmp. Procedeul conform invenţiei cuprinde etapele de curăţare a unei plachete de siliciu, depunere a unui strat de oxid de siliciu pe suprafaţa plachetei prin depunere chimică în fază de vapori asistată de plasmă, depunere a unui strat de crom/aur prin pulverizare catodică, stratul având dublu rol: este mască pentru microprelucrarea siliciului şi permite contactarea electrică a porţii de grafenă, deschidere a unor ferestre circulare cu diametru de 7 μ m, prin fotogravură, penetrând atât stratul de metal, cât şi pe cel de oxid, nanostructurare a suprafeţei siliciului folosind un proces modificat de corodare criogenică pentru a obţine forma cunoscută sub denumirea de "silicon grass" sau siliciu negru, depunere, pe spatele plachetei a unui film de aluminu pentru contactarea catodului şi, în cele din urmă, transferare a grafenei monostrat crescute prin depunere chimică din fază de vapori (CVD) peste orificiile în care a fost crescut siliciu negru.