Description:

Invenţia se referă la un procedeu de obţinere a unei structuri fotoactive de tip p-GaSb/n-GaSb. Procedeul conform invenţiei constă dintr-o etapă de implantare ionică, folosind ioni de Si+ introduşi într-o plachetă de n-GaSb, accelerarea ionilor de Si+ având loc la E-1 MeV, într-un accelerator liniar, în domeniul de fluenţe PHI=(10-10) cm, la un curent de fascicul de I-15nA, în condiţii de presiune atmosferică normală, la temperatura camerei, procesul de implantare fiind urmat de un tratament termic la T=600°C timp de 30 s, în atmosferă controlată, dintr-o etapă de realizare a contactelor ohmice de tip PdGeAu/n-GaSb şi Ag/p-GaSb, în care straturile metalice de PdGeAu se depun succesiv, prin evaporare în vid, pe toată suprafaţa plachetei, şi apoi stratul de Au este depus printr-o mască metalică pe zona definită pentru contact, şi dintr-o etapă de realizare a unui dispozitiv fotoactiv în forma standard, în care se foloseşte un suport de tip TO3 modificat, pe care este lipit contactul ohmic PdGeAu, folosind o pastă de argint, realizându-se în acest fel contactul cu masa, apoi contactele ohmice de argint sunt lipite cu fire conductoare de In de trecerile conductoare, în număr de două, ale ambazei TO3 modificate, folosind, de asemenea, pastă de argint, obţinându-se în acest fel contactele active ale dispozitivului care, în final, este etanşat folosind la încapsulare un capac cu fereastră din sticlă optică BK7, realizat din cupru nichelat.