Description:

Invenţia se referă la un dispozitiv electronic ce integrează în arhitectura unui tranzistor MOS un modul de conducţie bazat pe tunelarea prin izolatori, întâlnit la dispozitivele de tip NOI (Nimic pe Izolator), fiind necesar un singur dispozitiv pentru implementarea unor funcţii de circuit care în mod tradiţional utilizează 4...13 tranzistoare MOS clasice. Dispozitivul electronic, conform invenţiei, este alcătuit dintr-un film (1) de siliciu n+ plasat pe un strat (2) izolator şi acoperit cu un strat (3) superior de SiO, dintr-un contact (4) metalic de drenă plasat direct pe filmul (1) de siliciu n+, precum şi dintr-un electrod (5) de poartă şi dintr-un electrod (6) sursă, separaţi de filmul (1) semiconductor printr-un izolator.