Description:

Invenţia se referă la o structură pe bază de nanocristale de GeSn imersate în matrice de SiO, pentru fotodetecţie în domeniul lungimilor de unde scurte din infraroşu SWIR, şi anume, ITO/ NC GeSn în SiO/Si substrat/Al. Stratul activ este format din nanocristale de GeSn imersate în SiO, iar electrozii sunt dispuşi în structură sandviş, pe faţa structurii fiind un electrod transparent de ITO. Structura pe bază de nanocristale de GeSn imersate în matrice de SiO, conform invenţiei, se obţine folosind codepunerea prin pulverizare magnetron de Ge, Sn şi SiOpe substrat de Si, urmată de un tratament termic rapid, pentru nanocristalizarea GeSn din stratul activ, peste care se depune prin MS electrodul transparent din ITO, iar în final se depune prin evaporare termică în vid şi electrodul de Al pe spatele plachetei de Si, structura dobândind proprietăţi de fotodetecţie în domeniul SWIR 1,3...2,4 μ m.