SENZOR DE TEMPERATURI CRIOGENICE BAZAT PE PLACHETE MICROMETRICE HEXAGONALE DE SELENIURĂ DE CROM ŞI METODĂ DE OBŢINERE

Price not visible for this package

Interest:

Assignment

Publication info:

No.: RO137520

Date: 30.06.2023

Inventor(s):

BURUIANA ANGEL-THEODOR [RO]

SAVA FLORINEL [RO]

IACOB NICUŞOR [RO]

MATEI ELENA [RO]

BOCIRNEA ELENA AMELIA [RO]

OANEA MELANIA [RO]

GÂLCĂ AURELIAN CĂTĂLIN [RO]

MIHAI CLAUDIA [RO]

VELEA ALIN [RO]

KUNCSER VICTOR [RO]

Applicant(s):
INSTITUTUL NAT DE CERCETARE DEZVOLTARE PENTRU FIZICA MATERIALELOR INCDFM [RO]
Classification:
International patent classification (IPC):
C25D5/00

Cooperative patent classification (CPC):
Application info:
No.: RO20210000729
Date: 03.12.2021
Priority number(s):
RO20210000729 03.12.2021
BOPI:
Description:

Invenţia se referă la un senzor de temperaturi criogenice pe bază de plachete micrometrice hexagonale de seleniură de crom şi la o metodă de obţinere a acestuia, senzorul fiind utilizat la fabricarea termometrelor miniaturizate care să opereze sub 10°K utilizabile în domenii emergente din fizica cuantică. Senzorul conform invenţiei este constituit dintr-o plachetă micrometrică de seleniură de crom de formă hexagonală, cu dimensiunea laturii cuprinsă între 5...20 μm şi o grosime cuprinsă între 80...200 nm, cu concentraţia de Se cuprinsă între 50...60% iar concentraţia de Cr cuprinsă între 40...50%, placheta fiind plasată între două contacte metalice, rezistenţa electrică crescând exponenţial odată cu scăderea temperaturii, având o variaţie de 2 - 3 ordine de mărime în intervalul 10...50°K, de la 20 k Ω la 50°K până la peste 10 M Ω la 1,8°K, senzorul dobândind o sensibilitate absolută cuprinsă între 6,7 şi 2,5 în intervalul de temperatură cuprins între 1...10°K. Metoda de obţinere conform invenţiei are următoarele etape:a) formarea plachetelor hexagonale de seleniură de crom prin depunerea vaporilor de Cr - Se, formaţi prin descompunerea vaporilor de CrCl2 şi reacţia Cr cu Se, pe un substrat care poate fi Si/SiO2, cuarţ sau safir, la o temperatură cuprinsă între 600...800°C, într-o incintă prin care trece un flux de gaz care poate fi N2 sau un amestec de H2 şi Ar, cuprins între 300...700 sccm într-un interval de timp cuprins între 10...30 min., la presiune atmosferică, şib transferul plachetelor de seleniură de Cr de pe substratul pe care au fost obţinute, pe contactele metalice care au o distanţă între ele cuprinsă între 2...5 μm, utilizând microscopul optic şi folosind un material aderent care poate fi PDMS sau GelPak.