Description:

Invenţia se referă la o metodă de nanolitografie optică a materialelor bidimensionale precum grafena, nitrura de bor, MoS2, MoSe2, WS2 şi WSe2, metoda având aplicabilitate în industria semiconductorilor. Metoda conform invenţiei constă în acoperirea unui substrat realizat din sticlă, cuarţ, plachetă de Si sau safir cu fotorezist cu efect de confinare cuantică, transferul pe fotorezistul cu efect de confinare cuantică a unui strat de material bidimensional de grafenă, nitrură de bor, MoS2, MoSe2, WS2 sau WSe2, urmată de scrierea directă în regim continuu cu laser lucrând în regim continuu sau în regim pulsat, a unei figuri geometrice, cu ajutorul unei diode laser, utilizând o reţea de fascicule laser controlate individual de un modulator spaţial de lumină.