Description:

Invenţia se referă la o structură de memorie optoelectronică, de tip capacitor cu poartă flotantă, din nanocristale de Ge, pentru detectarea şi stocarea informaţiei prin pulsuri electrice şi optice, şi la procedeul de realizare a acesteia. Structura propusă este de tip metal-oxid-semiconductor, în care oxidul folosit este HfO, iar electrodul metalic de poartă este înlocuit cu un electrod de oxid transparent şi conductor (TCO). Conform invenţiei, structura de capacitor cu memorie optoelectronică are în componenţă următoarele straturi depuse pe plachete de Si: TCO/oxid de control HfO/poartă flotantă din nanocristale de Ge în HfO/oxid tunel din HfO/Si substrat. Procedeul de realizare conform invenţiei constă în depunerea de straturi prin pulverizare magnetron şi tratamente termice ulterioare, pentru formarea de nanocristale de Ge, şi îmbunătăţirea proprietăţilor TCO. Structura conform invenţiei prezintă, în domeniul de energii de iluminare VIS-NIR de până la 1 mJ, sensibilitate de ordinul 110 mV/mJ.