Description:

Invenţia se referă la filme subţiri 2D de carbonitrură C3N4 cu structură grafitică, omogenă şi izotropă depuse prin polimerizare în plasmă de curent continuu şi la un procedeu de obţinere a acestora. Filmele subţri 2D conform invenţiei prezintă o structură lipsită de impurităţi de O2, H2 şi precursori nereacţionaţi, cu separare eficientă electron - gol şi o lărgime a benzii interzise cuprinsă între 2,65...2,75 eV, o lărgime a benzii de conducţie cuprinsă între -0,27...-0,33 eV şi o lărgime a benzii de valenţă cuprinsă între 2,38...2,42 eV, având dimensiunea grosimii de strat cuprinsă între 75...85 nm. Procedeul conform invenţiei constă într-un proces de sinteză care se realizează în vid la 10...30 mTorr, într-o singură etapă, prin sublimarea precursorilor chimici solizi cu conţinut de azot şi structuri conjugate, la o temperatură cuprinsă între 220...235°C, angrenaţi cu ajutorul gazului purtător de argon la un debit cuprins între 5...7 l/h şi depunerea precursorilor chimici sublimaţi, pe plăcuţe de sticlă peliculizate cu oxid de staniu dopat cu fluor FTO, cu rol de strat conductiv, la o tensiune a plasmei cuprinsă între 230...250 V, rezultând filme subţiri 2D de carbonitrură grafitică cu structură omogenă, izotropă şi proprietăţi morfo - structurale superioare.